首先,制造器件必須選擇好襯底。與形成異質結材料的晶格相匹配這是必須考 慮到的(當然有時也加緩沖層);要選定生長面的晶向或偏離一定角度;要有一定 的摻雜濃度;在內部和表面的缺陷密度要低、表面平整、光亮、無劃痕;要有適當 的厚度用來保證芯片具有足夠的機械強度。

　　其次是外延生長,作為制造半導體激光器中的重要主體芯片工藝,它的好壞直 接會導致終器件的優劣和成品率的高低。一般常用的外延生長工藝包括:MOCVD、 LPE、MBE等技術。

　　再次是掩膜。就是在經過光刻后,沉積Si02或Si3N4薄膜,用Si02或Si3N4薄膜 在擴散或腐燭時起到掩蔽作用。這是半導體常規工藝。由于材料的不同,在不同溫度 下產生的熱腐燭效應不同,而在低溫的條件下則會減小或者去除這種效應,正因為如 此,沉積薄膜一般都是在低溫條件下進行的。

　　第四是腐燭,這一步十分關鍵,它分干法腐蝕和濕法腐燭兩類,各有自己的適用 范圍。在設計每個激光器時,它的結構和選用的材料都會根據要求的不同有所差異, 腐蝕就是在材料和結構不同的情況下,為了得到所要求各種形狀的加工工藝。常用化 學刻燭法來得到形狀各異的V形、正梯形、倒梯形溝槽,或凸起的脊形條、臺階(特 別精細的結構除外)。為了達到對側模的操控,需要對腐燭后的器件再次進行外延生 長,這樣就形成了折射率導引激光器。干法腐蝕主要用做微小尺寸的精細刻蝕。 擴散技術是半導體器件制造中釆用十分普遍的通用工藝,占有重要地位。它可以 改變半導體材料的電學和光學性質,從而得到所需要的材料。

　　芯片的減薄與拋光。這步具體是通過研磨和拋光工藝,減小芯片歐姆接觸 的電阻和減少器件發熱,去除上述表面損傷層和去除殘余應力。 歐姆接觸的制備又稱電極制作,看起來簡單但卻是半導體激光器制造中非常關鍵 的工藝步驟。器件工作時的產生熱量的大小和功率轉換效率的大小都與歐姆接觸工藝 好壞有關。盡管目前對GaAs、InP系列的n型、p型材料的歐姆接觸都已有成熟的工 藝,但面對開拓很多新波長范圍的激光器,起過高的歐姆接觸電阻率是需要克服的障礙。

　　解理技術是將加工好的器件芯片分解為單一管芯的需要手工操作技術很強的工 藝。在具有管芯的襯底減薄后,用金剛石刀或解理機在晶體解理面方向適當用力切壓 就能得到完全平行的F-P腔面。再用金剛石劃片刀和銀垂直于鏡面切割出所設計的單 個管芯。然后通過測試,蹄選出良好管芯并擇接到管殼的熱沉上,再用熱壓燥或者超 聲球煙機鍵合上金絲電極。后面進行親合封裝就可以得到實際所需的半導體激光器件。