其實，要實現大尺寸硅片的高精度高效率是行業的一個難點之一。我司對硅片拋光機和硅片拋光工藝研究多年，有相 當深厚的造詣。在大尺寸硅片拋光技術的難點解決上有了很大的進展，目前已經具備解決這一難題的方案和技術。本文重點闡述壓力壓強對大尺寸硅片在拋光中的作 用。

　　大尺寸硅片我們以直徑300mm的硅片為例，雙面拋光過程中硅片的運動狀態跟單面拋光不一 樣，硅片是放在游星輪片內，在中心和邊緣齒輪的帶動下旋轉，壓力于圓盤作相對轉動。由含有sio2的堿性拋光液輸送到硅片和拋光墊之間，從而完成對硅片表 面的拋光。本實驗主要目的是研究壓力對硅片拋光的影響，故只改變壓力其他參數不變。

　　用測量儀掃描硅片范圍0.5mm*0.5mm，垂直分辨率0.2nm，表面粗超度用均方根 RMS表示：其中Z1為測得各點的高度值ZAVE位給定區域內Z 的平均值。RMS實際上是給定區域的標準偏差。硅片表面峰谷的高度變化用peak\valley值表示，其定義為表面比較高點與比較低點的高度差，也是表面粗 超度程度的量。

　　圖2是硅片在壓力5,10,18kPa下進行雙面拋光的形貌，可以看出，在壓力5kPa時 拋光后的表面比較粗糙，0.5mm*0.5mm范圍內RMS是 1.13nm，谷峰值為8.06nm，當壓力增大到10KPa時表面粗超度明顯減小，RMS為0.79nm，峰谷值為5.18nm。隨著壓力的增加，表面 RMS和峰谷值均增加。因此，拋光壓力的不同將得到不同的硅拋光片表面形貌。

　　從以上結果表明，壓力的增大表面粗超度逐漸減小，當壓力增加到一定程度時達到很小值，壓力繼續增加時，為粗超度增大，峰谷值和微粗超度在不同的壓力下變化趨勢基本一致。

　　基于以上實驗，得知以下結論，當壓力加大在某一恒定數值時，硅片表面的粗超度達到很小，拋 光液的厚度也隨著壓力的增大而減小，所以這一個恒定的數值是需要我們測量和計算的關鍵。只要壓力調整到這一恒定數值，大尺寸硅片的表面粗超度就很容易實 現，如客戶有硅片拋光的需求，我司有硅片拋光機請隨時來我司試樣。